Accel News
| eröffnet am: | 22.11.07 12:02 von: | plusquamperfekt |
| neuester Beitrag: | 14.02.11 19:44 von: | Monchi1080 |
| Anzahl Beiträge: | 394 | |
| Leser gesamt: | 79123 | |
| davon Heute: | 1 | |
bewertet mit 8 Sternen |
||
|
|
||
19.01.10 14:21
#226
ARTNER514
warum sieht man bei wo 400k kauf in frankfurt und
bei ariva nicht!??
link!!
http://aktien.wallstreet-online.de/...ket_id=2&spid=ws&edit=1
link!!
http://aktien.wallstreet-online.de/...ket_id=2&spid=ws&edit=1
19.01.10 14:30
#228
Brueller
Fehler von WO denke ich
In Frankfurt laut comdirekt auch noch kein Handel.
Muß man sich mal überlegen.Gestern gut 10 Millionen Aktien gehandelt und heute noch nichts in Frankfurt.
Aber es wird auch nicht fett verkauft nein.
Wenn die Käufer von gestern halten kann es bei leichtem Interesse mächtig UP gehen.
Bin wirklich am überlegen auf 0,008 Euro nochmals nachzulegen.Habe eigentlich genug aber....
XETRA siehste ja selber 0,011 Euro.
Muß man sich mal überlegen.Gestern gut 10 Millionen Aktien gehandelt und heute noch nichts in Frankfurt.
Aber es wird auch nicht fett verkauft nein.
Wenn die Käufer von gestern halten kann es bei leichtem Interesse mächtig UP gehen.
Bin wirklich am überlegen auf 0,008 Euro nochmals nachzulegen.Habe eigentlich genug aber....
XETRA siehste ja selber 0,011 Euro.
19.01.10 14:41
#229
Brueller
Stuttgart und Frankfurt zusammen
noch 712.400 Aktien zu 0,008 Euro.
Mal sehen wie lange es die noch gibt?
Mal sehen wie lange es die noch gibt?
19.01.10 14:56
#230
Brueller
Stuttgart nur noch 32.400 zu 0,008 Euro
Na wann wacht der Makler in Frankfurt auf.
Angeblich gibt es schon Kauforders in Frankfurt zu 0,008 Euro aber der Makler führt nicht aus.Er sammelt und dann sind auf einmal die 600.000 Aktien zu 0,008 Euro weg und das wars dann mit guenstig.
Angeblich gibt es schon Kauforders in Frankfurt zu 0,008 Euro aber der Makler führt nicht aus.Er sammelt und dann sind auf einmal die 600.000 Aktien zu 0,008 Euro weg und das wars dann mit guenstig.
19.01.10 15:05
#231
louisaner
Na, wenn er gestern über 10 Mio...
... zu 0,007 hatte, dann wird er doch wohl Heute noch ein paar Tausend zu 0,008 für dich haben.
Wart mal ab.
Wart mal ab.
19.01.10 16:17
#232
Brueller
Mein letztes Posting für heute
muß weg.
Morgen gehts über zumindest auf 0,01 Euro und bis Freitag sehen wir auf jedenfall 0,015 Euro meiner Meinung nach.
Viel Glück uns allen.
Morgen gehts über zumindest auf 0,01 Euro und bis Freitag sehen wir auf jedenfall 0,015 Euro meiner Meinung nach.
Viel Glück uns allen.
19.01.10 16:28
#233
Lapismuc
abwarten und zurücklehnen...........
Sobald hier ein Funke kommt wird der Run entzündet.
Der frühe Vogel fängt den Wurm
19.01.10 17:10
#234
louisaner
ihr alten Sprücheklopfer...
...
;-)
kann ich auch.
kaufen sie jetzt +++ ACCEL-ENERGY +++
Accel steht ende des jahres mind. bei 1 Euro
der heutige einstiegskurs ist DIE gelegenheit, verpassen sie nicht den einstieg bei der neuen RAKETE
schon komisch - gestern wahnsinnsumsatz und heute gähnende leere.
;-)
kann ich auch.
kaufen sie jetzt +++ ACCEL-ENERGY +++
Accel steht ende des jahres mind. bei 1 Euro
der heutige einstiegskurs ist DIE gelegenheit, verpassen sie nicht den einstieg bei der neuen RAKETE
schon komisch - gestern wahnsinnsumsatz und heute gähnende leere.
19.01.10 17:52
#235
ARTNER514
toller spread in berlin und stuttgart!:))
Berlin 500.000 0,0060 € 0,013 € 3.000 117% 17:28:43
Stuttgart 143.000 0,0050 € 0,011 € 174.825 120% 17:30:09
Stuttgart 143.000 0,0050 € 0,011 € 174.825 120% 17:30:09
19.01.10 17:59
#237
ARTNER514
aus wo.
weiss auch nicht was hier los ist.
habe seit gestern in Frankfurt eine Order
200.000 zu 0,008 stehen.
wurde bis jetzt noch nicht ausgeführt?
?????????????????????????????????????
habe seit gestern in Frankfurt eine Order
200.000 zu 0,008 stehen.
wurde bis jetzt noch nicht ausgeführt?
?????????????????????????????????????
19.01.10 18:06
#238
Lapismuc
da weiß jemand mehr wie wir..........
ASK ist doch 0,008 €, schon den ganzen Tag
19.01.10 21:00
#241
Lapismuc
INVEST INSIDE zu Accel Energy
: China-Rakete vor globaler Expansion. Das Unternehmen ist bisher vor allem auf dem chinesischen Markt aktiv. Dort betreibt es sehr erfolgreich zusammen mit einem Partner eine Ölraffinerie....Man hat größere Ambitionen... Star von Accel Energy ist der Schieferasphaltbinder. Dieses Produkt ist in den USA durch Patente geschützt. Man hat es dort bereits an elf Standorten erfolgreich eingesetzt. Die Bewährungsprobe wurde also erfolgreich bewältigt. Der Schieferasaltbinder löst nämlich die fünf schwierigsten Probleme beim Bau sowie der späteren Instandhaltung von Straßen fast in Luft auf: Spurrillen, Auswaschungen, Ermüdungsanrisse, Alterung und Frostaufbrüche werden durch das neue Produkt deutlich minimiert. Somit halten die Straßen länger und die Wartung ist günstiger. All diese in der Praxis bewiesenen Vorteile zeigen nachhaltige Wirkung bei Abnehmern. Die Nachfrage nach dem Schieferasphaltbinder wird immer größer.
19.01.10 21:07
#242
Lapismuc
ad-hoc-news.de/accel-energy
http://www.ad-hoc-news.de/...h-sf-01--/de/Aktie/Snapshot/CH0026238243
Berlin: Dienstag, den 19. Januar 2010 - 21:05:47 Uhr
Corporation, - Accel-RF Corporation Announces Shipment of Reliability Test Systems for GaN technology to Customers in Europe
19.01.10 | 20:18 Uhr
Accel-RF Corporation, the world leader in turn-key RF Reliability Testing Systems for Compound Semiconductor devices, today announced the successful shipment and installation of five advanced high power reliability test systems to customers in Europe, in Q4 of 2009.
Shipped to both government research and commercial entities, these systems will be instrumental in the development of Gallium Nitride devices in Europe.
?Now that we have successfully shipped and installed these leading edge systems, I am pleased to announce the acceptance of our High Power Reliability Test Systems by the compound semiconductor community to test the reliability of GaN technology in the European Union,? says Roland Shaw, President and Founder of Accel-RF. ?It is exciting for us at Accel-RF to be part of the advancement and evolution of Gallium Nitride Technology and its long term reliability,? adds Shaw.
Service and first line support of these systems will be performed by Peritest Eurl, based near Paris, France. ?As a manufacturer of advanced test equipment, Accel-RF?s technical staff will always be working with our customers,? Shaw continues, ?Peritest Eurl for sales, service, and first line support in Europe has worked well for Accel-RF, and their technical expertise is excellent.?
Accel-RF has been selling RF Reliability Systems in the US since 2004. Five systems delivered and installed in Europe in Q4 of 2009 further demonstrates our successful expansion outside of the US. ?Global expansion for complex equipment like ours has to be done carefully,? adds Shaw, ?I am proud to say that even with this major expansion effort we have maintained a very close relationship with all of our customers.?
About Accel-RF
Accel-RF Corporation is a closely-held private corporation located in San Diego, California. The company specializes in the development, design, and production of accelerated life-test/burn-in test systems for RF semiconductor devices. These systems are turn-key integrated instruments that provide a cost-effective and high-value proposition for manufacturers, fabless designers, testing-service providers, original equipment manufacturers, system integrators, and research and development laboratories requiring intrinsic reliability identification, process-control validation, specification standard-deviation characterization, and product qualification testing.
Url zum Artikel: http://www.ad-hoc-news.de/...of--/de/Unternehmensnachrichten/20877542
Berlin: Dienstag, den 19. Januar 2010 - 21:05:47 Uhr
Corporation, - Accel-RF Corporation Announces Shipment of Reliability Test Systems for GaN technology to Customers in Europe
19.01.10 | 20:18 Uhr
Accel-RF Corporation, the world leader in turn-key RF Reliability Testing Systems for Compound Semiconductor devices, today announced the successful shipment and installation of five advanced high power reliability test systems to customers in Europe, in Q4 of 2009.
Shipped to both government research and commercial entities, these systems will be instrumental in the development of Gallium Nitride devices in Europe.
?Now that we have successfully shipped and installed these leading edge systems, I am pleased to announce the acceptance of our High Power Reliability Test Systems by the compound semiconductor community to test the reliability of GaN technology in the European Union,? says Roland Shaw, President and Founder of Accel-RF. ?It is exciting for us at Accel-RF to be part of the advancement and evolution of Gallium Nitride Technology and its long term reliability,? adds Shaw.
Service and first line support of these systems will be performed by Peritest Eurl, based near Paris, France. ?As a manufacturer of advanced test equipment, Accel-RF?s technical staff will always be working with our customers,? Shaw continues, ?Peritest Eurl for sales, service, and first line support in Europe has worked well for Accel-RF, and their technical expertise is excellent.?
Accel-RF has been selling RF Reliability Systems in the US since 2004. Five systems delivered and installed in Europe in Q4 of 2009 further demonstrates our successful expansion outside of the US. ?Global expansion for complex equipment like ours has to be done carefully,? adds Shaw, ?I am proud to say that even with this major expansion effort we have maintained a very close relationship with all of our customers.?
About Accel-RF
Accel-RF Corporation is a closely-held private corporation located in San Diego, California. The company specializes in the development, design, and production of accelerated life-test/burn-in test systems for RF semiconductor devices. These systems are turn-key integrated instruments that provide a cost-effective and high-value proposition for manufacturers, fabless designers, testing-service providers, original equipment manufacturers, system integrators, and research and development laboratories requiring intrinsic reliability identification, process-control validation, specification standard-deviation characterization, and product qualification testing.
Url zum Artikel: http://www.ad-hoc-news.de/...of--/de/Unternehmensnachrichten/20877542
19.01.10 21:44
#243
Lapismuc
Es geht um's Galliumnitrid
Galliumnitrid - das neue Material der Leistungselektronik
(Nanowerk News) Silizium ist das klassische Material für elektronische Bauteile. Wissenschaftler des Ferdinand-Braun-Instituts entwickeln nun Leistungstransistoren aus Galliumnitrid, die robuster, schneller und effizienter sind. Leistungstransistoren sind die zentralen Bauelemente in elektrischen Leistungskonvertern, die Gleich- und Wechselstrom umwandeln und auf unterschiedliche Spannungen transformieren können. In Handyladegeräten sind sie ebenso zu finden wie in der Motoransteuerung eines ICE. Auch in der automobilen Elektronik spielen derartige Leistungskonverter eine entscheidende Rolle. Ihr Wirkungsgrad und ihre Leistungsdichte wird den Erfolg fast aller Green-Car-Konzepte zukünftiger Hybrid- und Elektroautos entscheidend mitbestimmen, denn die Leistungselektronik wird neben dem eigentlichen Elektroantrieb zur Bremsenenergierückgewinnung, für intelligente Batterieladekonzepte und das Bordnetz benötigt. Maßgebliche Entwicklungsimpulse gehen daher inzwischen von der Automobilindustrie aus.
Am FBH gefertigter selbstsperrender 25 A / 250 V GaN-Leistungstransistor, auf einem 1-Cent-Stück
Seit über 50 Jahren ist Silizium der Baustoff dieser Elektronikbauteile. Die Technologie ist mittlerweile jedoch so weit fortgeschritten, dass das Material selbst an seine Grenzen stößt. Bessere Materialeigenschaften verspricht Galliumnitrid (GaN). Im Bereich der Mikrowellentechnik werden bereits Hochfrequenzleistungstransistoren aus Galliumnitrid eingesetzt, zum Beispiel in Mobilfunkbasisstationen.
In einem laufenden und zwei beantragten Projekten will das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), gemeinsam mit Partnern aus Wissenschaft und Industrie nun neuartige Galliumnitrid-Transistoren für die Leistungselektronik entwickeln. Dabei wird die gesamte Wertschöpfungskette von der Entwicklung bis zum fertigen Produkt abgedeckt. Dr. Oliver Hilt vom FBH beschreibt sein Ziel: "Wir streben effizientere Energieumwandler an, die dann beispielsweise in Hybrid- und Elektroautos, aber auch in Photovoltaik-Anlagen eingesetzt werden."
Galliumnitrid hat gegenüber Silizium einen entscheidenden Vorteil: Es hat einen hohen Bandabstand von 3,4 Elektronenvolt gegenüber 1,1 Elektronenvolt bei Silizium. Dadurch ist es möglich, GaN-Transistoren bei höheren Temperaturen zu betreiben. Der Kühlaufwand sinkt und Gewicht und Baugröße der Leistungskonverter verringern sich. Bei einem Elektroauto zum Beispiel bedeutet dies eine deutliche Energieersparnis. Galliumnitrid hat außerdem eine höhere Durchbruchfeldstärke. Im Vergleich zu einem gleich großen Siliziumtransistor können damit größere Spannungen geschaltet werden. In der Folge treten weniger Leistungsverluste auf. Darüber hinaus sorgt eine hohe Sättigungsgeschwindigkeit der Elektronen für schnellere Schaltgeschwindigkeiten - die Konvertermodule können noch kleiner werden. Die neuen GaN-Leistungstransistoren des FBH werden mehrere 10 Ampere bei Spannungen bis 1000 Volt und mehr schalten. Insgesamt haben Leistungskonverter mit Galliumnitrid-Transistoren einen höheren Wirkungsgrad als jene mit Silizium-Transistoren. Sie sind robuster, schneller und effizienter.
"Ein wichtiges Problem haben wir schon gelöst", sagt Oliver Hilt. In der Leistungselektronik muss der Transistor aus Sicherheitsgründen vollständig ausgeschaltet sein, wenn keine Spannung an der Steuerelektrode anliegt. Einen solchen Transistor nennt man selbstsperrend. Das ist jedoch bei Galliumnitrid-Transistoren üblicherweise nicht der Fall: In der Mikrowellentechnik ist der Transistor bei null Volt Gatespannung immer noch im eingeschalteten Zustand. Man spricht von einem selbstleitenden Transistor. Um diesen Transistor auszuschalten, ist eine negative Gatespannung nötig. Die Einsatzspannung der FBH-Transistoren konnte von minus fünf Volt auf plus ein bis zwei Volt verschoben werden. "Damit sind wir ausreichend weit im positiven Bereich, um die Transistoren in der Leistungselektronik einsetzen zu können", erklärt Oliver Hilt. "Zusätzlich konnten wir den Einschaltwiderstand niedrig halten und damit gehören unsere selbstsperrenden GaN-Transistoren weltweit zu den besten."
Source: Forschungsverbund Berlin
Share |
Subscribe to a free copy of our daily
Nanowerk Nanotechnology News Email Digest
with a compilation of all of the day's news.
(Nanowerk News) Silizium ist das klassische Material für elektronische Bauteile. Wissenschaftler des Ferdinand-Braun-Instituts entwickeln nun Leistungstransistoren aus Galliumnitrid, die robuster, schneller und effizienter sind. Leistungstransistoren sind die zentralen Bauelemente in elektrischen Leistungskonvertern, die Gleich- und Wechselstrom umwandeln und auf unterschiedliche Spannungen transformieren können. In Handyladegeräten sind sie ebenso zu finden wie in der Motoransteuerung eines ICE. Auch in der automobilen Elektronik spielen derartige Leistungskonverter eine entscheidende Rolle. Ihr Wirkungsgrad und ihre Leistungsdichte wird den Erfolg fast aller Green-Car-Konzepte zukünftiger Hybrid- und Elektroautos entscheidend mitbestimmen, denn die Leistungselektronik wird neben dem eigentlichen Elektroantrieb zur Bremsenenergierückgewinnung, für intelligente Batterieladekonzepte und das Bordnetz benötigt. Maßgebliche Entwicklungsimpulse gehen daher inzwischen von der Automobilindustrie aus.
Am FBH gefertigter selbstsperrender 25 A / 250 V GaN-Leistungstransistor, auf einem 1-Cent-Stück
Seit über 50 Jahren ist Silizium der Baustoff dieser Elektronikbauteile. Die Technologie ist mittlerweile jedoch so weit fortgeschritten, dass das Material selbst an seine Grenzen stößt. Bessere Materialeigenschaften verspricht Galliumnitrid (GaN). Im Bereich der Mikrowellentechnik werden bereits Hochfrequenzleistungstransistoren aus Galliumnitrid eingesetzt, zum Beispiel in Mobilfunkbasisstationen.
In einem laufenden und zwei beantragten Projekten will das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), gemeinsam mit Partnern aus Wissenschaft und Industrie nun neuartige Galliumnitrid-Transistoren für die Leistungselektronik entwickeln. Dabei wird die gesamte Wertschöpfungskette von der Entwicklung bis zum fertigen Produkt abgedeckt. Dr. Oliver Hilt vom FBH beschreibt sein Ziel: "Wir streben effizientere Energieumwandler an, die dann beispielsweise in Hybrid- und Elektroautos, aber auch in Photovoltaik-Anlagen eingesetzt werden."
Galliumnitrid hat gegenüber Silizium einen entscheidenden Vorteil: Es hat einen hohen Bandabstand von 3,4 Elektronenvolt gegenüber 1,1 Elektronenvolt bei Silizium. Dadurch ist es möglich, GaN-Transistoren bei höheren Temperaturen zu betreiben. Der Kühlaufwand sinkt und Gewicht und Baugröße der Leistungskonverter verringern sich. Bei einem Elektroauto zum Beispiel bedeutet dies eine deutliche Energieersparnis. Galliumnitrid hat außerdem eine höhere Durchbruchfeldstärke. Im Vergleich zu einem gleich großen Siliziumtransistor können damit größere Spannungen geschaltet werden. In der Folge treten weniger Leistungsverluste auf. Darüber hinaus sorgt eine hohe Sättigungsgeschwindigkeit der Elektronen für schnellere Schaltgeschwindigkeiten - die Konvertermodule können noch kleiner werden. Die neuen GaN-Leistungstransistoren des FBH werden mehrere 10 Ampere bei Spannungen bis 1000 Volt und mehr schalten. Insgesamt haben Leistungskonverter mit Galliumnitrid-Transistoren einen höheren Wirkungsgrad als jene mit Silizium-Transistoren. Sie sind robuster, schneller und effizienter.
"Ein wichtiges Problem haben wir schon gelöst", sagt Oliver Hilt. In der Leistungselektronik muss der Transistor aus Sicherheitsgründen vollständig ausgeschaltet sein, wenn keine Spannung an der Steuerelektrode anliegt. Einen solchen Transistor nennt man selbstsperrend. Das ist jedoch bei Galliumnitrid-Transistoren üblicherweise nicht der Fall: In der Mikrowellentechnik ist der Transistor bei null Volt Gatespannung immer noch im eingeschalteten Zustand. Man spricht von einem selbstleitenden Transistor. Um diesen Transistor auszuschalten, ist eine negative Gatespannung nötig. Die Einsatzspannung der FBH-Transistoren konnte von minus fünf Volt auf plus ein bis zwei Volt verschoben werden. "Damit sind wir ausreichend weit im positiven Bereich, um die Transistoren in der Leistungselektronik einsetzen zu können", erklärt Oliver Hilt. "Zusätzlich konnten wir den Einschaltwiderstand niedrig halten und damit gehören unsere selbstsperrenden GaN-Transistoren weltweit zu den besten."
Source: Forschungsverbund Berlin
Share |
Subscribe to a free copy of our daily
Nanowerk Nanotechnology News Email Digest
with a compilation of all of the day's news.
19.01.10 22:07
#244
Spaßzocker
Kurs
Was wird das jetzt morgen für den Kurs bedeuten? Gibts da erste Einschätzungen. Ich hatte mich gestern mal zum Kurs von 0,007 mit 100000 Tausend Stück eingedeckt :D
20.01.10 07:34
#245
iceman78
Chew on this today: ACCEL
Schaut euch heute diesen Wert gut an.....
lg, ice
lg, ice
20.01.10 09:36
#246
ARTNER514
wie gestern !
heute wieder bei wo
0,0090
242.500
stk gehandelt
bei ariva keine anzeige!
????
0,0090
242.500
stk gehandelt
bei ariva keine anzeige!
????
20.01.10 09:42
#247
Spaßzocker
KOMISCH !!
Meine Order in Frankfurt wird irgendwie wieder nicht ausgeführt. Woran kann das denn liegen?
20.01.10 10:39
#248
louisaner
Die News bedeuten für Accel-Energy...
...gar nichts, weil http://www.accelrf.com
nichts mit Accel-Enegy zu tun hat.
nichts mit Accel-Enegy zu tun hat.
20.01.10 12:49
#250
ARTNER514
kann es da einen zusammenhang geben??
http://www.ots.at/presseaussendung/OTS_20070723_OTS0014

